ASDM60P12KQ-R دیتاشیت

ASDM60P12KQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM60P12KQ-R
حجم فایل 58.396 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM60P12KQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM60P12KQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 968pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 36pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 62mΩ@10V,14A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه